2020-06-22 環球晶攜手交大成立研究中心,投入SiC與GaN技術開發

新聞中心 報導

看好第三代半導體材料碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)的未來前景,環球晶圓(6488)今(22)日與交通大學簽署備忘錄,將共同合作成立化合物半導體研究中心。透過產學合作的模式,攜手研發第三代半導體材料,包含但不限於6-8吋SiC和GaN技術開發,用以支持晶體成長、提供高性能元件應用所需,以利快速建構台灣化合物半導體產業鏈。

交大規劃以半導體、AI、生醫為三大重點研究領域;其中,半導體晶圓發展小組特別與台灣第一大、全球第三大的矽晶圓大廠環球晶合作。交大表示,由於SiC和GaN是非常具有發展前景的半導體材料,在5G、電動車、太陽能發電、功率發電的應用上,是最重要的成功關鍵,相對台灣在這個領域必須積極擘劃快速佈局,方能與世界接軌並在全球市場佔有一席之地。

此外,交大結合多所學校相關研究的教授群,以化合物半導體材料研究和人才培育計畫為主軸,與環球晶共同努力加速開發SiC和GaN,建立產學互饋循環機制並培育國際級研發團隊,以利提升台灣半導體產業於全球的競爭實力。

各國均看好第三代半導體材料的市場發展潛力,積極在化合物半導體上加速佈局。環球晶表示,在碳化矽和氮化鎵已深耕多年,公司研發團隊也已開發多項專利,生產技術精湛並具有完整的生產線;決定與交大在化合物半導體展開合作,串連各自的專業領域與技術優勢加速前進,創造企業成長的新契機,期盼日後能成為世界頂級的半導體SiC晶圓和GaN晶圓的供應商之一,未來長期營運發展樂觀可期。