2017-03-14 浮閘風華再現,記憶恆久遠—紀念浮閘效應發現50周年及其重要貢獻,交大3/27舉辦記憶體技術研討會

(中央社訊息服務)今年欣逢國立交通大學榮譽講座教授暨中央研究院院士施敏博士發現「浮閘(floating gate)記憶體效應」五十周年。此效應為後續多種非揮發性記憶體技術的奠基石,包括早期的EPROM與現在熱門的快閃記憶體技術,奠定今日非揮發性半導體記憶體產業的基礎並開啟了數位電子時代。為慶祝此重大成就,國立交通大學電機學院與電子工程學系將於今年三月二十七日(星期一),假本校電子資訊中心國際會議廳,舉行「國際非揮發性記憶體研討會」。會中邀請來自世界執記憶體領域牛耳的七位大師,就各種記憶體相關技術的發展狀況與趨勢,進行精闢的介紹與分析。

 

21世紀是大數據時代,幾乎所有新興的應用都對大量數據的儲存提出殷切的需求。如何開發新一代更大儲存密度、更快儲存與讀取速度、更省電與可靠的非揮發性記憶體技術成為各電子強權國家的產業競爭首要之一。

 

交通大學電子工程學系向來是國內相關技術研究最主要的學術機構,系內多位教授從事各種先進與新興的記憶體技術多年,培養的學生也成為國內產業界的主力來源。該系傑出的研究成果享譽國際,深獲各位國際知名大師的肯定,並在第一時間應允邀請來台參與此盛會。希冀透過舉辦此研討會,促進專家學者與國內產學研人員之交流,進一步提升非揮發性記憶體技術研究的動能。