2015-12-16 交大校長張懋中 今榮膺美國發明家學會院士

龍益雲

 

美國發明家學會今 (16)日公布2015年獲選發明家院士,交通大學校長張懋中獲遴選委員高度肯定頒授榮銜,將於明年4月15日接受表揚。

 

美國發明家學會 (NAI,National Academy of Inventors)於美國時間15日上午公布2015年獲選發明家院士 (NAI Follow),在張懋中擁有高發明能量,長期研究推動半導體通信元件、提升人類生活品質,對社會與經濟發展帶來助益與貢獻。

 

交大表示,張懋中1990年在美國洛克威爾科學中心(Rockwell Science Center)高速電子實驗室與研究團隊,完成異質結雙極性高速電晶體 (HBT)與其積成電路的研究與開發,成功量產後成為手機必備發射器元件,所研發砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器,已超過100億台,成為舉世智慧型手機的首選,對產業界及學術界帶來跨時代貢獻。

 

交大強調,對高速半導體元件和高頻無線及混合信號電路在通信、雷達、聯結、攝像等系統的研究及開發,張懋中也貢獻卓著,在基礎研究和實際應用領域,也是首屈一指的權威代表。

 

張懋中曾榮膺國際電機電子工程學會 (IEEE)會士、美國國家工程學院 (National Academy of Engineering)院士、中央研究院院士殊榮。