薩支唐

學歷:
Ph. D. 美國 Stanford University, 1956
M. Sc. 美國 Stanford University, 1954
B. Sc. (物理及電機雙學位)美國 University of Illinois at Urbana-Champaign, 1953
 
經歷:
美國佛羅里達大學電機系講座教授 1989 迄今
美國伊利諾大學電機系與物理系教授 1961-1988
比利時魯文大學榮譽博士、美國工程院士(1985)、中央研究院院士(1999)、中國大陸中研院院士(2000)、IEEE Life Fellow, Fellow of American Physical Society 等
美國 Fairchild Semiconductor Corp., 研發部主任 1956-1964
 
現職:
Robert C. Pittman Eminent Scholar and Research Professor, University of Florida, USA
 
榮譽事蹟:
薩支唐博士為現任佛羅里達大學電機系講座教授,先後畢業於美國伊利諾大學與史丹福大 學,以優異成績畢業。他是國際知名大師,自史丹福大學獲得學位之後,於諾貝爾得主-Willian Shockley創辦的Fairchild半導體公司工作,擔任研發部部門主管,與Golden Moore、Robert Noyce等共事。如果說美國矽谷有今日的成就,薩教授堪稱IC半導體工業的先驅。其貢獻影響深且遠,他是CMOS共同發明人(發表於 1964ISSCC),今日CPU、個人電腦、通訊IC等的普及,端賴此一CMOS電晶體才得以實現。其部屬多人後來擔任Intel的主要工程師,更是他 在半導體學術及工業領導的成就。年輕時更以不到30歲之齡獲得IRE(IEEE之前身)的最佳論文獎。
薩教授於1961年起擔任伊利諾大學電機系與物理系教授逾27年之久,繼而在1989年,由佛羅里達大學電機系延聘為工學院的第一位講座教授,任教伊利諾 大學期間,指導超過40位的博士畢業生,300篇以上的一流論文及100場以上的演講。另有一本教科書(Fundamental of Solid State Electronics, 1991),為大多數佛羅里達大學電機系學生必讀的一本書,其學術重要著作不勝枚舉,包含:MOSFET Pao-Sah模型,奠定MOS IC發展的基礎、DLTS量測法用於研究半導體缺陷,近年他所發明的DCIV方法於半導體可靠性量測應用等,都是半導體領域之經典之作。薩教授也獲得多項 的榮譽,包括美國工程院士、中央研究院院士、中國大陸中研院院士、IEEE Life Fellow、Fellow of American Physical Society、IEEE Ebers Award、IEEE Jack Morton Award、美國半導體學會(SIA)的University Research Award 等。縱觀其學術成就,足以媲美諾貝爾級的學術水準。