方復

學歷

國立台灣大學學士

美國伊利諾大學博士

經歷

美國IBM公司研究員、國立台灣大學客座教授、英國赫胥黎IBM UK實驗室客座研究員、美國布朗大學教授

榮譽事蹟

從事半導體二維電子物理及元件之研究,享譽國際。在物理學研究方面,於一九六六年發 表表面量子化及能帶分裂現象,確認二維能態與二維系統之G因素異常性,所著「一般性量子磁電壓效應理論」備受學界重視。於工業界貢獻方面,在一九六六年發 明異質接面高導體率電晶體,並於一九七五年首先以電子束研製成快速E/D場效電晶體及積體電路,對半導體工業具革命性影響,於人類福祉裨益良多。