2018-01-16
交大校長張懋中(右二)與中科院院長杲中興代表雙方簽訂「次世代氮化鎵高頻高功率通訊關鍵組件產業應用計畫」。(圖/國立交通大學提供) 交大校長張懋中(右二)與中科院院長杲中興代表雙方簽訂「次世代氮化鎵高頻高功率通訊關鍵組件產業應用計畫」。(圖/國立交通大學提供)
方詠騰  
 
立交通大學與國家中山科學研究院今(16)日共同簽訂「次世代氮化鎵高頻高功率通訊關鍵組件產業應用計畫」,雙方將投入通訊研究開發並轉入產業鏈,組成學術、產業一條龍的技術團隊,厚植國內產、學、研三方實力,發展國防科技同時帶動台灣5G通訊高速聯網發展。
 
學研共組技術團隊 全力發展國防科技及5G通訊高速聯網
 
交大校長張懋中表示,美國的研究型大學主要研究方向為衛生健康和國防科技兩項,國家並不會補助商業研究。而一個國家的國防研究,是促成該國家先進研究發展的最大動力。未來交大要與中山科學院成為合作夥伴,研發最先進的技術,一方面幫助國家發展國防科技,一方面協助高級產業發展,避免台灣落入中等陷阱。
 
張懋中校長指出,雙方將組成擁有一條龍能力的技術團隊,針對磊晶優化、元件製程、電路模組設計,整合上下游供應鏈的能力,使共同研製的氮化鎵晶圓、元件及電路模組,能夠推廣到無線電通訊波段(X, Ku, Ka波段)和高功率市場。
 
中科院杲中興院長表示,目前台灣的產業處於重要的時刻、關鍵的一年。國防產業也無可避免的面臨轉型時代。台灣國防科技的關鍵零組件、原材料大多握在歐美國家手中,系統、雷達、航電技術軟體更新,還多需仰賴國外公司。中科院已逐步轉型與國內握有關鍵基礎技術之學術單位,設法共同突破障礙。
 
杲中興院長說,「十年磨一劍」,雖零組件發展成系統整合者須耗費大量時間人力發展,但基礎研究成就國防核心產品,因此中科院與具有深厚基礎研究的交大結盟,累積研發成果及經驗,成為競爭對手無法取代的技術團隊。
 
計畫主持人、交大副校長張翼表示,隨著智慧型手機的普及率提升,通訊產業發展急遽,智慧型手機、網路高速傳輸互聯及資訊存取的高度使用讓無線通訊創造出龐大產值,然而國內目前對氮化鎵高頻高功率元件應用於通訊產業的研發投入不多、關鍵零組件研發能量不足,使台灣在高功率元件/模組研發方面大幅落後歐、美、日等國,且國際大廠對高功率氮化鎵產品出口管制嚴格,嚴重壟斷全球國防市場。
 
交大與中科院在科技研發領域具扎實理論基礎及深厚研發能力,且技術團隊由材料端至製程模組端完全自主,不受國外出口管制;此外,國內多半導體廠產能閒置,計畫團隊將充分運用國內閒置產能,填補國內軍用需求,進行重要零組件生產及模組構裝,建立功率模組高單價關鍵零組件研發。團隊也針對先進通訊材料研發及應用投入資源,佔有產業市場地位,研發高價值關鍵零組件及系統關鍵技術與專利,打入美國、歐洲等先進國家市場。
 
此外,下世代基地台需求即將來臨,微型基地台將進入快速成長期。台灣在半導體產業中不論設計、生產及製造從沒缺席過,最大特色就是對全球市場需求做出快速且有效的回應,持續扮演全球半導體產業要角。
 
今日締盟的雙方技術團隊都期許順利達成各項技術指標研發,因應全球市場需求在產品上精益求精,累積研發成果與經驗,成為競爭對手無法取代的技術團隊。

附加資訊

  • 新聞來源: 風傳媒