2017-12-01
中央研究院院士、交通大學終身講座施敏教授獲全球電機電子工程師學會(IEEE)頒贈2017年度「尊榮會員」〈Celebrated Member〉,將於12月4日受獎。全球迄今僅有九位科學家獲此殊榮,包括1973年諾貝爾物理獎得主Leo Esaki、2000年物理獎得主Herbert Kroemer及2009年物理獎得主George E. Smith。施敏教授為台灣獲此獎項的第一人。
 
全球電機電子工程師學會指出,「尊榮會員」的成就讓學會感到榮耀,能從中汲取靈感、促進相關領域進步,進而改變世界,對施敏教授對人類帶來的影響與福祉給予高度肯定。
 
施敏教授1963年獲美國史丹福大學電機博士,畢業後進入貝爾實驗室(Bell Labs)任職。1967年,與貝爾實驗室韓籍同事姜大元博士發現「浮閘記憶體效應」(Floating-gate memory effect)。此效應延伸出多種「浮閘記憶體」,包括EEPROM及快閃記憶體。「浮閘記憶體」拔除電源後資料不會隨之揮發,仍能保有記憶體內容。現今人類走入智慧生活的數位新時代,從智慧型手機、平板電腦、數位電視、數位相機到全球定位系統,「可帶著走」的電子產品都歸功於「浮閘記憶體」。此記憶體更促成人工智慧、大數據、雲端運算、物聯網、固態碟、機器人及自駕車之快速發展。1969年,施教授以英文編寫八百多頁的《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)引起全球矚目,被翻譯成六國語言、發行超過300萬冊,被引用超過四萬七千次,被譽為「半導體界的聖經」。
 
在貝爾實驗室任職27年期間,施教授數度留職停薪回台任教。自貝爾實驗室退休後到交大任教至今。其實驗室如同台灣半導體產業人才搖籃,學生包括前交大校長張俊彥、鈺創董事長盧超群、台積電研發副總經理暨技術長孫元成等半導體之菁英。教過的學生逾萬人,成為台灣半導體業的根基。施教授也在孫運璿資政擔任經濟部長時,擔任產業顧問,對我國發展半導體產業提出許多重要的建議與貢獻。台灣現有蓬勃發展的半導體產業,以及傲視國際的半導體人才,施教授功不可沒。
 
施教授的發現與成就受世界推崇,是少數當選中央研究院院士、美國國家工程院院士以及中國工程院外籍院士的三院院士,同時也獲得工研院院士、全球「快閃記憶體高峰會」(Flash Memory Summit)「終身成就獎」,以及日本應用物理學會(Japan Society of Applied Physics)頒贈的「日本應用物理學會國際會士」。
 
今(2017)年是施教授「浮閘記憶體效應」發現五十周年的里程碑。交大特別舉辦「國際非揮發性記憶體研討會」,邀請施教授及多國記憶體知名大師,共同探討技術發展趨勢。研討會最重要的結論只有一個,就是至今尚無任何記憶體技術,能夠取代「浮閘記憶體」。施敏教授對半導體科技進展與社會的貢獻實為深遠,貢獻卓著,為世人所共睹。

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