2017-11-21
【記者李珣瑛╱新竹報導】
 
交通大學、工研院、國家奈米元件實驗室(NDL)合作,在經濟部技術處支持下合作開發出「半導體微波退火」技術,將微波加入半導體製程,讓半導體在退火過程時降溫速度更快、成本更低。獲得台積電、晶電及碳纖化工業採用,有效取代傳統紅外光及爐管製程。
 
半導體退火並非單指降溫,而是從加熱到降溫的迅速升降溫過程。半導體晶圓中因摻入雜質,會讓導致晶圓材料性質產生劇烈變化。透過退火程序,可恢復晶圓晶體的結構、消除缺陷。
 
退火過程攸關半導體產品良率,以7奈米製程為例,退火過程中磊晶受熱溫度需壓低至攝氏600度以下;製程尺寸愈小,要求的溫度愈低,未來市場趨勢要求降低至攝氏450度以下。
 
目前「快速熱退火」技術因過程溫度高,易有熱擴散效應。工研院機械與機電系統研究所研究員黃昆平指出,「半導體微波退火」直接以微波對晶圓的矽晶原子加熱,可避免熱擴散效應,達到低溫退火效果,可批次處理多片晶圓,較「快速熱退火」單次僅能處理一片晶圓更有效率。

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  • 新聞來源: 經濟日報