2017-11-16
張懋中校長(右)與駐英大使林永樂。圖/交大提供 張懋中校長(右)與駐英大使林永樂。圖/交大提供
記者馮靖惠╱即時報導
 
英國工程與科技學會(The Institution of Engineering and Technology,IET)9月公布2017年J J Thomson獎章(J J Thomson Medal for Electronics)得主。交通大學校長張懋中,研發半導體通信元件研究,量產後成為手機必備發射器元件,所製成的手機信號發射器,在全球已超過100億台,對無線通訊產業界及學術界帶來跨時代貢獻,榮獲2017年J J Thomson獎章,昨日於英國倫敦接受表揚。
 
張懋中原為洛杉磯加州大學(UCLA)電機系系主任,2015年8月返台接任交大校長。他是台灣本土訓練的博士,分別獲得台大物理系學士學位、清華大學材料所碩士學位、交大電子所博士學位。
 
交大表示,張懋中1990年於美國洛克威爾科學中心(Rockwell Science Center)高速電子實驗室與研究團隊完成異質結雙極性高速電晶體(HBT) 與其積成電路的研究與開發,成功量產後成為手機必備發射器元件。其所研發的砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器在全球已超過100億台,成為智慧型手機的首選,對無線通訊產業界及學術界帶來跨時代貢獻。
 
另外,張懋中對高速半導體元件和高頻無線及混合信號電路在通信、雷達、聯結、影像等系統的研究及開發貢獻卓著,在基礎研究和實際應用領域是首屈一指的權威學者。曾榮膺國際電機電子工程學會(IEEE)會士、美國國家工程學院(National Academy of Engineering)院士、美國國家發明家學院(National Academy of Inventors)院士和中央研究院院士殊榮,在國際上具有崇高的學術聲望。
 
英國工程與科技學會(The Institution of Engineering and Technology,IET)是全球工程技術領域最大且具威望的專業學術學會之一,在全球150個國家擁有16.7萬會員。

附加資訊

  • 新聞來源: 聯合報