2017-03-20
徐養齡
 
今年適逢交通大學榮譽講座教授暨中央研究院院士施敏博士發現「浮閘(floating gate)記憶體效應」50周年,交大電機學院與電子工程學系將於27日舉行「國際非揮發性記憶體研討會」。
 
校方表示,「浮閘(floating gate)記憶體效應」為後續多種非揮發性記憶體技術的奠基石,包括早期的EPROM與現在熱門的快閃記憶體技術,奠定今日非揮發性半導體記憶體產業的基礎並開啟了數位電子時代。
 
研討會邀請來自世界執記憶體領域牛耳的7位大師,就記憶體相關技術的發展歷史、現況與未來趨勢進行精闢講解與分析。包含交通大學榮譽講座教授施敏博士、義大利意法半導體Paolo Cappelletti博士、英國聖安德魯斯大學James F. Scott教授、瑞典哥德堡大學Johan Åkerman教授、美國史丹佛大學H.-S. Philip Wong教授、德國亞琛工業大學Rainer Waser教授及國內旺宏公司盧志遠董事長。

附加資訊

  • 新聞來源: 中國時報